Especificaciones Técnicas
Factor de forma: M.2 2280
NAND Flash: 3D NAND
Controlador: RTS5766DL
Interfaz: PCle Gen3 x4
Lectura secuencial (máxima): Hasta 2.400MB/s*
Escritura secuencial (máxima): Hasta 1.800MB/s*
IOPS de lectura aleatoria de 4KB (máxima): Hasta 200.000*
IOPS de escritura aleatoria de 4 KB (máxima): Hasta 150.000*
Temperatura de operación: 0 °C - 70 °C
Temperatura de almacenamiento: -40 °C - 85 °C
Resistencia a golpes: 1500 G/0,5 ms
Tiempo medio entre fallos: 1.500.000 horas
Terabytes escritos (TBW): 520 TB**
*El rendimiento puede variar según la capacidad del SSD, el hardware y el software host, el sistema operativo, y otras variables del sistema.
** El valor es la cantidad mínima de terabytes escritos que se podría alcanzar.
